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Cassification
技术文章/ Technical Articles
小王子介绍有关ALD设备的其他信息1.ALD、CVD、PVD技术的区别CVD是一种薄膜沉积技术，以“化学气相沉积”的缩写命名，PVD是“物理气相沉积”的缩写。由于ALD使用气体，因此也称为CVD的一种。然而，与CVD不同，CVD中气体分解产生的SiO2和SiNx等化合物会像灰尘一样堆积，而ALD的不同之处在于它可以一次形成一层薄膜。PVD是一种利用物理方法而不是气体形成薄膜的技术。PVD是在真空中对成膜材料进行加热、溅射、离子束照射或激光照射，使成膜材料蒸发、分散成颗粒，然后...
小王子分享ALD设备原理ALD设备配备有不锈钢或铝制成的真空室，由原料气体供给部分、排出原料气体的排气部分以及控制过程的控制单元组成。充当前体的有机金属材料称为前体。首先，将前体引入真空室并吸附到基板的表面上。之后，将室抽真空一次以去除多余的前驱体，然后氧化和氮化以形成薄膜。一个原子层在一个循环中形成，并且可以通过多次重复该循环来沉积薄膜。由于膜厚根据循环次数而变化，因此具有膜厚控制性高的特点。吹扫工艺在ALD成膜过程中也非常重要，因为腔室中残留的不同前驱体和氧化源会对薄膜质...
小王子介绍半导体制造设备原理半导体制造设备的基本操作可分为电路设计/图案设计、光掩模制作、前处理和后处理。1.电路设计/图形设计电路设计/图案设计涉及设计实现所需功能的电路，并进行多次仿真以考虑有效的图案。专用CAD软件用于设计半导体器件的图案。2.光掩模制作光掩模制作是制作用于将电路图案转移到半导体晶圆上的模板。半导体晶片表面的晶体管和布线极其精细，通过放大将电路图案绘制在透明玻璃板的表面上。3.预处理预处理是在硅晶圆上制作芯片。有清洗、光刻、刻蚀、成膜、离子注入、平坦化等...
小王子介绍什么是半导体制造设备？半导体制造设备是制造晶体管、集成电路等所用半导体的设备。半导体不仅用于计算机和智能手机，还用于云服务和数据中心等许多电子设备。半导体的技术创新正在以使用半导体的信息存储、数值计算和逻辑值计算为基础，并考虑到其处理速度、能源效率和节省空间。顾名思义，半导体制造设备是用来制造半导体的。主要的半导体元件包括晶体管和二极管，它们是用于电气控制（例如设备中的电流和方向）的独立元件，处理设备程序等数据的算术处理的CPU，以及存储程序等数据的存储器。被提及。...
小王子分享关于半导体曝光设备的价格半导体光刻设备目前对于半导体的高效量产来说是，但据称它是精密的机器，而且价格昂贵。半导体曝光设备中使用的光源的波长越短，可以形成的图案越精细，并且曝光设备变得越昂贵。据称每个波长的成本为i-line约4亿日元、KrF约13亿日元、ArF干式约20亿日元、ArF浸没式约60亿日元、EUV约200亿日元。电路越小，可以实现越快的信号传输和节能，但近年来，由于小型化，无法忽视工艺成本的增加，包括半导体曝光设备的价格。就半导体光刻设备所需的性能而言，...
小王子分享超声波测厚仪基本原理超声波测厚仪是根据超声波脉冲反射原理来进行厚度测量的，当探头发射的超声波脉冲通过被测物体到达材料分界面时，脉冲被反射回探头，通过测量超声波在材料中传播的时间来确定被测材料的厚度。凡能使超声波以一恒定速度在其内部传播的各种材料均可采用此原理测量。按此原理设计的测厚仪可对各种板材和各种加工零件作测量，也可以对生产设备中各种管道和压力容器进行监测，监测它们在使用过程中受腐蚀后的减薄程度。可广泛应用于石油、化工、冶金、造船、航空、航天等各个领域。使用技巧...
小王子分享电子天平的正确使用与维护电子天平及其分类人们把用电磁力平衡被称物体重力的天平称之为电子天平。其特点是称量准确可靠、显示快速清晰并且具有自动检测系统、简便的自动校准装置以及超载保护等装置。按电子天平的精度可分为以下几类:1、超微量电子天平超微量天平的zui大称量是2至5g,其标尺分度值小于（zui大）称量的10-6,如Mettler的UMT2型电子天平等属于超微量电子天平。2、微量天平微量天平的称量一般在3至50g，其分度值小于（zui大）称量的10-5，如Mettl...
小王子分享电子天平的维护与保养.1、将天平置于稳定的工作台上避免振动、气流及阳光照射。2、在使用前调整水平仪气泡至中间位置。3、电子天平应按说明书的要求进行预热。4、称量易挥发和具有腐蚀性的物品时，要盛放在密闭的容器中，以免腐蚀和损坏电子天平。5、经常对电子天平进行自校或定期外校，保证其处于*状态。6、如果电子天平出现故障应及时检修，不可带“病”工作。7、操作天平不可过载使用以免损坏天平。8、若长期不用电子天平时应暂时收藏为好。有的人认为在电子天平量程范围内称量的物体越重对天...
小王子介绍多层陶瓷电容器的结构电极使用镍，电介质主要使用钛酸钡。介电材料片上涂有镍膏，用作内部电极，这些片材一层层堆叠并在压力下模制。之后，将其切成小片并在1000℃左右的温度下进行烧结，当连接外部电极时，它就成为多层陶瓷电容器。通过在左侧和右侧交替连接内部电极和外部电极，这与各层并联连接时的状态相同。自从它们开始以片材形式制造以来，它们变得更加高效并且变得更小更薄。层数可高达1000层。它们分为低介电常数型和高介电常数型，低介电常数型主要使用氧化钛作为电介质，而高介电常数型...
小王子分享有关多层陶瓷电容器的其他信息1.多层陶瓷电容器的特点多层陶瓷电容器的电容会根据温度而变化。因此，在选择多层陶瓷电容器时，不仅要根据容量和额定电压来选择，还要考虑使用环境的温度。多层陶瓷电容器的特点是低等效串联电阻（ESR），因为它们使用镍和铜等金属作为电极。此外，由于其结构，多层陶瓷电容器具有较低的寄生电感（ESL），使其适合在高频下使用。换句话说，利用低ESR和ESL的这些特性，可以形成高Q值的谐振电路，而低损耗的匹配电路是高频电路领域中元件之一。产品。通过改变极...
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