欢迎来到深圳市京都玉崎电子有限公司

服务热线:13717023088

技术文章/ Technical Articles

您的位置:首页  /  技术文章  /  小王子分享ALD设备原理

小王子分享ALD设备原理

更新时间:2024-08-30      浏览次数:547

小王子分享ALD设备原理

ALD设备配备有不锈钢或铝制成的真空室,由原料气体供给部分、排出原料气体的排气部分以及控制过程的控制单元组成。

充当前体的有机金属材料称为前体。首先,将前体引入真空室并吸附到基板的表面上。之后,将室抽真空一次以去除多余的前驱体,然后氧化和氮化以形成薄膜。

一个原子层在一个循环中形成,并且可以通过多次重复该循环来沉积薄膜。由于膜厚根据循环次数而变化,因此具有膜厚控制性高的特点。吹扫工艺在ALD成膜过程中也非常重要,因为腔室中残留的不同前驱体和氧化源会对薄膜质量产生负面影响。

为了提高沉积效率,可以加热基底或等离子体辅助基底。加热法称为热ALD,等离子体辅助法称为等离子体ALD。


  • 联系邮箱:wc@tamasaki.com

  • 公司地址:深圳市龙华区龙华街道松和社区梅龙大道906号电商大厦3层

Copyright © 2024 深圳市京都玉崎电子有限公司版权所有   备案号:粤ICP备2022020191号   技术支持:化工仪器网

sitmap.xml   管理登陆

TEL:13717023088

扫码加微信
Baidu
map